多層壓電陶瓷由數層壓電材料組成·✘，與內部電極交錯排列✘✘✘·。內部電極相繼定位為正極和負極·✘，所有正電極都連線到元件一側的一個外部電極✘✘✘·。負極連線在元件的另一側✘✘✘·。與單層壓電陶瓷相比·✘，多層壓電陶瓷的很大優勢在於·✘，在實現與單層壓電陶瓷相同的位移時·✘，可以減少施加的電壓✘✘✘·。單層壓電陶瓷的位移等於壓電常數 d33 乘以電壓·✘，多層壓電陶瓷的位移等於壓電常數 d33 乘以電壓乘以層數✘✘✘·。

掃描隧道顯微鏡（STEM）使用了壓電陶瓷技術·✘，掃描隧道顯微鏡要控制針尖在樣品表面進行高精度的掃描·✘，用普通機械的控制是很難達到這一要求的✘✘✘·。壓電陶瓷材料能以簡單的方式將 1mV-1000V 的電壓訊號轉換成十幾分之一奈米到幾微米的位移✘✘✘·。

多層壓電陶瓷器件品質要求較高·✘，其內部多層結構需要使用掃描電鏡（SEM）觀察·✘，例如每一層陶瓷是否有缺陷·✘，多層陶瓷的厚度是否均勻·✘，作為電極的銀層是否覆蓋均勻·✘，這些結構影響著器件的使用壽命✘✘✘·。