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掃描電鏡背散射電子成像

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詳細介紹│··╃◕:

背散射電子(BSE)是由彈性散射產生的▩✘。當主電子束中的電子接近樣品中的原子核時₪☁₪₪•,受到原子核中正電荷的作用力₪☁₪₪•,它們的運動軌跡發生了偏離▩✘。背散射電子的產率取決於原子核的大小▩✘。BSE影象對比度反應了樣品表面的成分襯度▩✘。在這篇部落格中₪☁₪₪•,會介紹背散射電子系數₪☁₪₪•,並解釋它是如何受到樣品傾斜度和入射電子束能量的影響▩✘。

 

背散射係數

 

背散射電子是由入射電子束中入射電子的彈性散射產生的₪☁₪₪•,其能量大於50eV₪☁₪₪•,在飛納電鏡之前的一篇部落格中解釋過▩✘。背散射電子數量產生取決於許多因素₪☁₪₪•,包括樣品中材料的原子序數和電子束的加速度電壓▩✘。

 

電子束與樣品相互作用產生的背散射電子的數量被稱為背散射係數 η₪☁₪₪•,定義為背散射電流(IBSE)和探針電流(IP)的比值│··╃◕:

 

 

其中 EB 是背散射電子的排出能量▩✘。背散射係數受加速電壓│☁、原子序數 Z 以及樣品表面與入射電子束的夾角的影響▩✘。

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