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掃描電鏡分析導致樣品破壞的原因及緩解辦法

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詳細介紹││₪╃▩:

當使用掃描電鏡(SEM)觀察樣品時╃◕,隨著時間增加╃◕,電子束可以改變或破壞樣品✘·╃。樣品破壞是一種不利的影響╃◕,因為它可能會改變或甚至毀壞想要觀察的細節╃◕,從而改變電鏡檢測結果和結論✘·╃。在這篇部落格中╃◕,將解釋導致樣品破壞的原因╃◕,以及如何緩解這一過程✘·╃。

 

掃描電鏡(SEM)中╃◕,使用聚焦電子束掃描樣品的表面獲取訊號後續處理來產生影象✘·╃。電子由電子槍產生並透過高壓加速獲得更高能量╃◕,透過電磁透鏡使其匯聚✘·╃。加速電壓一般在1kV至30kV範圍內╃◕,終作用於樣品的掃描電鏡束流在納安數量級✘·╃。

 

經過高壓加速的電子與樣品表面相互作用╃◕,對於不導電樣品╃◕,這種相互作用可能損傷樣品和破壞樣品✘·╃。該破壞過程可以透過樣品表面產生的裂紋的形式看出╃◕,或者看起來材料像是熔化或沸騰的✘·╃。材料破壞的速度隨加速電壓₪☁•₪☁、觀察束流和放大倍數的變化而變化✘·╃。

 

圖1││₪╃▩:不同型別非導電樣品的破壞

傳真││₪╃▩:

郵箱││₪╃▩:info@phenom-china.com

地址││₪╃▩:上海市閔行區虹橋鎮申濱路 88 號上海虹橋麗寶廣場 T5╃◕,705 室

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