高解析度臺式掃描電鏡中有兩種常用基本訊號✘₪◕··，分別是二次電子(SE)和背散射電子(BSE)✘₪◕··，對於很多高解析度臺式掃描電鏡使用者而言✘₪◕··，二次電子可以用來表徵形貌✘₪◕··，背散射電子可以進行原子序數表徵已經是基本的常識₪✘。然而✘₪◕··，二次電子↟·◕◕、背散射電子與襯度的關係並非如此簡單₪✘。今天✘₪◕··，我們就來深入的瞭解一下SE↟·◕◕、BSE的細分型別✘₪◕··，各自的特點✘₪◕··，以及它們和襯度之間的關係₪✘。
二次電子是入射電子與試樣中弱束縛價電子產生非彈性散射而發射的電子✘₪◕··，一般能量小於50eV✘₪◕··，產生深度在試樣表面10nm以內₪✘。二次電子的產額在很大程度上取決於試樣的表面形貌✘₪◕··，因此這也是為什麼在很多情況下大家把SE影象等同於形貌像₪✘。然而✘₪◕··，這種說法並不嚴謹₪✘。
二次電子的產額其實和成分也有很大的關係✘₪◕··，尤其是在低原子序數(Z<20)時✘₪◕··，二次電子也能夠清晰的反映出成分之間的差異₪✘。SE像不但可以區分出碳和銀的成分差異✘₪◕··，而且相對BSE影象來說具有更多的形貌細節₪✘。所以✘₪◕··，如果對於低原子序數試樣✘₪◕··，或者原子序數差異非常大時✘₪◕··，若要反映成分襯度✘₪◕··，並不一定非要用BSE像✘₪◕··，SE像有時也可獲得上佳的效果₪✘。
除了成分襯度外✘₪◕··，SE還具有較好的電位襯度✘₪◕··，在正電位區域SE因為收到吸引而使得產額降低✘₪◕··，影象偏暗✘₪◕··，反之負電位區域SE像就會偏亮₪✘。而BSE因為本身能量高✘₪◕··，所以產額受電位影響小✘₪◕··，因此BSE像的電位襯度要比SE小的多₪✘。
另外✘₪◕··，如果遇上試樣的導電性不好✘₪◕··，出現荷電效應或者是區域性荷電✘₪◕··，這也可以看成是一種電位襯度₪✘。這也是當出現荷電現象的情況下✘₪◕··，相對SE影象受到的影響大✘₪◕··，BSE影象受影響則比較小₪✘。這也是為什麼在發生荷電現象的情況下✘₪◕··，有時可以用BSE像代替SE像來進行觀察₪✘。
至於通道襯度✘₪◕··，一般來說因為需要將樣品進行拋光✘₪◕··，表面非常平整✘₪◕··，這類樣品基本上沒有太多的形貌襯度₪✘。SE雖然也能看出不同的取向✘₪◕··，但是相比BSE來說則要弱很多✘₪◕··，所以一般我們都是用BSE影象來進行通道襯度的觀察₪✘。
SE和襯度的關係✘₪◕··，總結來說就是SE的產額以形貌為主✘₪◕··，成分為輔✘₪◕··，容易受到電位的影響✘₪◕··，取向帶來的差異遠不及BSE₪✘。
在考慮具體使用高解析度臺式掃描電鏡的哪種訊號觀察樣品的時候✘₪◕··，SE和BSE特點剛好互補✘₪◕··，並沒有孰優孰劣之分✘₪◕··，需要根據實際關注點來選擇正確的訊號進行成像₪✘。
